原装 DRV5013ADQDBZR 丝印1J52 NLAD 封装SOT23-3 霍尔传感器芯片
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原装 DRV5013ADQDBZR 丝印1J52 NLAD 封装SOT23-3 霍尔传感器芯片

来源:霍芯电子    时间:2025-12-19

DRV5013ADQDBZR 丝印NLAD 高电压38V 高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器

DRV5013 的特性

数字双极锁存霍尔传感器

出色的温度稳定性

工作温度范围内 BOP 为 ±10%

多个灵敏度选项 (BOP/BRP)

±1.3mT(FA、FD,请参阅器件命名规则)

±2.7mT(AD、ND,请参阅器件命名规则)

±6mT(AG,请参阅器件命名规则)

±12mT(BC,请参阅器件命名规则)

支持宽电压范围

2.5V 至 38V

无需外部稳压器

宽工作温度范围

TA = –40 至 +125°C(Q,请参阅器件命名规则)

TA = –40 至 +150°C(E,请参阅器件命名规则)

开漏输出(30mA 灌电流)

35µs 快速上电时间

小型封装和外形尺寸

表面贴装 3 引脚 SOT-23 (DBZ)

2.92mm × 2.37mm

穿孔式 3 引脚 TO-92(LPG、LPE)

4mm × 3.15mm

保护特性:

反向电源保护(高达 -22V)

支持高达 40V 的负载突降

输出短路保护

输出电流限制

DRV5013 的说明

DRV5013 器件是一款斩波稳定型霍尔效应传感器,可在温度范围内提供具有出色灵敏度稳定性和集成保护特性的磁场感应解决方案。

 

磁场通过数字双极锁存输出表示。该集成电路 (IC) 配有一个灌电流能力达 30mA 的漏极开路输出级。该器件具有 2.5V 至 38V 的宽工作电压范围,反极性保护高达 –22V,因此适用于各种工业应用。

 

针对反向电源条件、负载突降和输出短路或过流,提供了内部保护功能。


 
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