WEDC(美)公司器件命名方法
登录 | 注册收藏本站  
欢迎关临本公司网站
库存中心
主营产品
联系我们
在线客服 : 点击这里给我发消息
24小时客服专线
  了解

WEDC(美)公司器件命名方法

来源:霍芯电子    时间:2011-05-10
摘要:怀特电子设计公司(美) http://www.whiteedc.com 该公司是1998年由Bowmar Instrument Corporation(White Microelectronics)和Electronic Designs,Inc.合并而成。
目录
  
White Electronic Designs Corporation(WEDC)
怀特电子设计公司(美)
 该公司是1998年由Bowmar Instrument Corporation(White Microelectronics)和Electronic Designs,Inc.合并而成。
 1.1987年之前产品
 该公司1987年之前的产品型号由7部分组成,例如:
     EDH   8   C   10   LP   J   M
           ③ ④      
各部分字母和数字含义如下。
① 前缀,表示生产商。   
② 产品功能类别:
4    DRAM
5    EEPROM
6   μPAK
7    UVEPROM
8    SRAM
 
③工艺类别:
C    CMOS,4T
HC  高速CMOS
CL   CMOS,6T
N   半字节(DRAM)
④芯片存取速度:
70   DRAM
10   EEPROM
⑤芯片功耗:(仅8K×8系列)
  标准功耗
LP  低功耗
⑥封装形式:
J   无引脚芯片载体陶瓷封装
P   陶瓷封装(在陶瓷基片上)
K   陶瓷边铜焊封装
⑦使用温度范围:
C   商业级
I   工业级
M   军品级
2.1987年之后产品
该公司1987年后产品型号由7部分组成,例如:
 EDI  8   M   C   100  C    B
 ①               
各部分字母和数字含义如下。
 ①前缀,表示生产厂商。  
 ②表示芯片系列:
 4    DRAM
 5    EEPROM
 6   μPAK
 7    UVEPROM
 8    SRAM
 9   特殊芯片
 ③功能分类:
 空  单片
 M   组件(陶瓷)
 F   组件(FR4)
 ④表示工艺类别:
 B   双极
 N    NMOS
 C    CMOS,4T标准功耗
 P    CMOS,4T低功耗
 H    CMOS,6T标准功
 L    CMOS,6T低功耗
 ⑤表示芯片存取速度:
20    20ns
100   100ns
200   200ns
 ⑥封装形式:
    P     单片塑料DIP
    C        单片陶瓷SIP
D      陶瓷SIP(600密耳)
T      薄片SIP(400密耳)
    无引脚芯片载体陶瓷封装
J      无引脚芯片载体陶瓷封装
Y      有引脚芯片载体塑料封装
G     外引脚阵列排列封装
    F        扁平封装
U      小方块包封
S       SIP封装
    DIP封装
W      小间距外引脚封装
Q      陶瓷膜DIP(300密耳)
R      陶瓷膜DIP(300密耳)
 ⑦使用温度范围:
   C   商业级
   I   工业级
   M   军品级
   B   军品级,MIL-STD-88C,B级

 
深圳市霍芯电子科技有限公司©          CopyRight © SHENZHEN HUOXIN Electronic CO.,LTD