摘要：韩国半导体的历史已走过了半个世纪，如今韩国在储存器半导体领域已跃居世界前列。与此同时，海力士半导体耸立在这种神话的中心。以DRAM和储存型闪存(NAND Flash)等储存器半导体产品为基础，发展起来的海力士半导体在核心事业领域已确保稳固的竞争优势，并根据市场变化，扩大以销售和R&D为核心的未来力量。
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韩国半导体的历史已走过了半个世纪，如今韩国在储存器半导体领域已跃居世界前列。与此同时，海力士半导体耸立在这种神话的中心。
以DRAM和储存型闪存(NAND Flash)等储存器半导体产品为基础，发展起来的海力士半导体在核心事业领域已确保稳固的竞争优势，并根据市场变化，扩大以销售和R&D为核心的未来力量。
海力士半导体在世界最大的半导体市场中，包括中国在内的多个地区，作为先进企业，巩固了其威望，还通过改善财务结构及系统的风险管理，加强内实经营，正在构建可持续经营基础。
海力士半导体发展成为拥有最佳技术力量的企业。最佳企业并非最大企业，最佳企业指通过可持续的优良发展，向客户、股东、社会、职工等利害关系者提供最佳满意和最大价值的持久卓越的企业。将来，海力士半导体为了能够成为大家最知心的朋友，并扩展世界最佳技术力量，将竭尽全力。
该公司的产品型号由5部分组成，例如：
HY 51C256A L S 10
① ② ③ ④ ⑤
各部分字母和数字含义如下。
① 前缀，表示生产厂商。
② 器件标号，其中可以包含一个字母，以表明性能变化：
A 第1次改型
B 第2次改型
C 第3次改型
③ 使用温度范围：
空 商业级，标准功耗
L 商业级（0～＋70℃），低功耗
E 工业级（－40～＋85℃），标准功耗
④ 封装形式：
S 300密耳塑料DIP
P 600密耳塑料DIP
F 无引脚芯片载体（J型）封装
D 600密耳陶瓷DIP
⑤ 最大存取时间：
10 100ns
12 120ns
15 150ns
20 200ns
