Topaz公司器件命名方法
登录 | 注册收藏本站  
欢迎关临本公司网站
库存中心
主营产品
联系我们
在线客服 : 点击这里给我发消息
24小时客服专线
  了解

Topaz公司器件命名方法

来源:霍芯电子    时间:2011-05-10
摘要:Topaz Semiconductor Inc.(Topaz) 黄晶半导体公司(美)该公司的产品型号由3部分组成
目录
  
Topaz Semiconductor Inc.(Topaz)
黄晶半导体公司(美)
  该公司的产品型号由3部分组成,例如:
 CDG  2214   BJ  
        
各部分字母和数字含义如下。
①前缀,表示产品类别:
 CDG  模拟开关
   VQ  晶体管阵列
   SD  功率场效应管(P沟道)
   VP  功率场效应管(P沟道)
   AN  功率场效应管(N沟道)
   TN  功率场效应管(N沟道)
   TZ  功率场效应管(N沟道)
   VN  功率场效应管(N沟道)
②器件标号。
③表示封装形式:
 对集成电路:
        BJ   塑料8引脚DIP,工业级(-40~+85
   AK     8引脚陶瓷DIP,军品级(-55~+125
     J      16引脚陶瓷DIP
    N      16引脚塑料DIP
对分立器件:
   DD      TO-18外壳气密性封装
   HD      TO-39TO-99外壳密封
   BD      TO-92或外壳塑封
   AD      TO-237(92+)外壳塑封
   DB      TO-72外壳金属封装

 
深圳市霍芯电子科技有限公司©          CopyRight © SHENZHEN HUOXIN Electronic CO.,LTD