Performance公司器件命名方法
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Performance公司器件命名方法

来源:霍芯电子    时间:2011-05-13
摘要:Performance Semiconductor公司生产的产品:1、高性能军用微处理器:执行军用MIL-STD-1750A标准,采用基于MIPS结构的指令组结构和RISC处理器。2、高速、低功耗商用、工业用和军用SRAM,密度从1K到1Mg,速度不低于8ns。所有产品采用CMOS技术生产。公司位于美国加州Sunnyvale。
目录
  
Performance Semiconductor Corpration(Performance)
弗尔曼斯半导体公司(美)
 该公司的产品型号由4部分组成,例如:
P 4C116-20  L  M
        ③ ④
 各部分字母和数字含义如下。
① 前缀,表示生产厂商
② 器件标号,其中短划后数字表明存储器的最大读取时间。
   15   15ns
      20   20ns
       25   25ns
       30   30ns
       35   35ns
       40   40ns
③ 封装形式:
   D  陶瓷DIP
   L  无引脚芯片载体陶瓷封装
   P  塑料DIP
   F  有引脚芯片载体塑料封装
   C 陶瓷DIP
   G DIP(欧翼式)
   PG 引脚列阵(栅格)排列封装
   QG 有引脚芯片载体(欧翼式)封装
   QL 有引脚芯片载体(直引式)封装
 ④ 使用温度范围:
    M 军品(-55~+125
    C 民品 (0~+70

 
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