摘要：得州仪器公司（美） http://www.ti.com 该公司的产品型号共有5种命名规则
目录
Texas Instruments,nc.(TI)
得州仪器公司（美）
该公司的产品型号共有5种命名规则
1.第1类产品型号命名规则
该类产品型号由4部分组成，例如：
SN 74 S188 J
① ② ③ ④
各部分字母和数字含义如下。
①表示芯片类别：
AC 先进双极型电路
SBP 双极微处理器
SMJ MOS存储器和微处理器883B
SN 标准电路
SNJ 标准电路：883B,JEDEC,STD101
TAC CMOS逻辑阵列
TAL 低功耗肖特基TTL逻辑阵列
TAL STL逻辑阵列
TL 线性电路
TLC 线性CMOS电路
TIEF 红外源
TIEPLA 双极场效应可编程逻辑阵列
TIBPAL 双极，可编程逻辑阵列
FP 矩形芯片载体（适合DRAM）
TMS MOS存储器/微处理器
TM 微处理器，SIP封装存储器
TBP 双极存储器
TC CCD器件
TCM 通信电路
TIED 红外检波器
TIL 光电电路
VM 音频存储器
JANP JM38510,B级
JBP 双极PROM,883C,JEDEC,STD101
②使用温度范围：74、74H、74LS、74S、75、74AS、74HC/74HCT*、74ALS、74F、74BCT为0~ +70℃，带“*”者-40~+80℃；54、54H、54L、54LS、54S、55、54AS、54HG/54HCT、54ALS、54F、54BCT为-55~+125℃。
③器件标号
④封装形式：
JT 陶瓷DIP(24引脚，300密耳)
J、JG 陶瓷DIP
JD 边铜焊陶瓷DIP
KA、KC、KD、KF 塑封（功率翼）
LP 3引脚塑封
N、NE 塑封DIP
T 金属扁平封装
WA、W 陶瓷扁平封装
NT 塑料DIP（24引脚，300密耳）
U 陶瓷扁平封装
NF 塑封DIP(28引脚400密耳)
FH 陶瓷单层方形芯片载体封装（JEDEC标准）
FN 单层方形芯片载体塑料封装
FK 多层方形芯片载体封装（JEDEC标准）
FE 多层炬形芯片载体封装
WC 陶瓷扁平封装
FG 多层矩形芯片载体封装（JEDEC标准）
D 小型封装（150密耳）
DW 小型封装（300密耳）
FM 矩形芯片载体封装（DRAM）
DJ 小型封装，适用于J引脚存储器、低功耗TTL、低功耗肖特基TTL、肖特基TTL、标准接口、先进肖特基、先进肖特基TTL、高速CMOS、先进低功耗肖特基TTL、先进器件
2. 第2类产品型号命名规则
该类产品型号由3部分组成，例如：
N 82LS10 F
① ② ③
各部分字母和数字含义如下。
①使用温度范围：
N 商业级（0~+70℃）
75 商业级（0~+70℃）
NE 商业级（0~+70℃）
55 军品级（-55~+125℃）
SE 军品级（-55~+125℃）
S 军品级（-55~+125℃）
SA 工业级（-40~+85℃）
SU 扩展（-25~+85℃）
②器件标号
③封装形式：
D 塑封（表面贴装器件）
N 塑料DIP
A 有引脚芯片载体塑料封装
F 14、16、18、20、22、24引脚陶瓷DIP
G 无引脚芯片载体陶瓷封装
H TO-5壳封装
I 8~50引脚陶瓷DIP
K 2引脚TO-3壳封装
Q 陶瓷扁平封装
R 陶瓷扁平封装（带翼）
U 9、13引脚SIP
Y 24引脚陶瓷扁平方形封装（辐射引脚）
W 10、14、15、24引脚扁平封装
CK 十字形芯片
EC 4引脚TO-46壳封装
EE 4引脚TO-72壳封装
FE 8引脚DIP
SK 微处理器组件
TA 8引脚TO-5壳封装
N14 14引脚DIP塑封
3. 第3类产品型号命名规则
该类产品型号由5部分组成，例如：
TMS 44C257 - 12 DJ L
① ② ③ ④ ⑤
各部分字母和数字含义如下。
①表示芯片系列，同第1类产品
②器件标号。
③为最大值存取时间
3 35ns
4 45ns
5 55ns
7 70ns
10 100ns
12 120ns
15 150ns
20 200ns
25 250ns
30 300ns
35 350ns
40 400ns
50 500ns
④封装形式，同第1类产品。
⑤使用温度范围：
空、C、L 商业级（0~+70℃）
I、E 工业级（-40~+85℃）
S 扩展（-55~+100℃）
M 军品级（-55~+125℃）
4.第4类产品型号命名规则
该类产品型号由8部分组成，例如：
TIB PAL 16 R 4 -15 M J
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧
各部分字母和数字含义如下。
①前缀，表示生产厂商。
②表示芯片系列：
TIB 双极PAL
TIC CMOS PAL
TIE ECCPAL
③输入端数。
④输出配置：
R 寄存器
L 低电平有效
X 异或
⑤输出端数
⑥最大存取时间：
-10 100ns
-12 120ns
-15 150ns
A 高速
A-2 高速低功耗
⑦使用温度范围，同第3类产品
⑧封装形式，同第1类产品
5. 第5类产品型号命名规则
该类产品型号由8部分组成，例如：
SMJ 6 8 CE 64 - 25 JD M
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧
各部分字母和数字含义如下。
①前缀，表示产品系列。
TMS 商业级MOS电路
SMJ 军品级MOS电路
TMX 预研产品，商业级MOS电路
②芯片类别：
4 DRAM/FRAM
Y SRAM(军品级)
③字宽：
1 1bit
4 4bit
8 8bit(SRAM)
9 9bit(SRAM)
④工艺类别：
C CMOS
CE CMOS,输出使能控制（对于SRAM）
CD CMOS,I/O端分开（对于SRAM）
空 NMOS
⑤密度：
16 16K SRAM
16 16K DRAM
64 64K DRAM
64 64K SRAM
61 64K VRAM
72 72K SRAM
64 256K DRAM
61 256K VRAM
256 256K DRAM
257 256K DRAM
256 256K 8RAM
288 288K SRAM
256 1M DRAM
257 1M DRAM
251 1M VRAM
1024 1M DRAM
1025 1M DRAM
1027 1M DRAM
1050 1M FRAM
⑥表示芯片速度。
对SRAM:
25 25ns
35 35ns
45 45ns
55 55ns
对DRAM:
8 80ns
10 100ns
12 120ns
15 150ns
20 100ns
对FRAM:
3 25ns
4 30ns
6 50ns
⑦封装形式。
对商业级塑封：
DJ 小型，J引脚
FM 有引脚芯片载体塑料封装
SD 分支交叉直插封装
N DIP
对军品级陶瓷封装：
JD DIP
HJ 小型封装（J引脚）
FG或FV 无引脚芯片载体陶瓷封装
⑧使用温度范围：
空 商业级（0~+70℃）
L 商业级（0~+70℃）
S 扩展（-55~+100℃）
M 军品级（-55~+125℃）
